Lucrăm pentru a restaura aplicația Unionpedia în Google Play Store
🌟Am simplificat designul nostru pentru o navigare mai bună!
Instagram Facebook X LinkedIn

Memorie cu acces aleator și Z-RAM

Comenzi rapide: Diferențele, Similarități, Jaccard Similitudine Coeficient, Bibliografie.

Diferența între Memorie cu acces aleator și Z-RAM

Memorie cu acces aleator vs. Z-RAM

Memoria cu acces aleator sau memoria RAM (engleză: Random Access Memory, abreviat RAM) este denumirea generică pentru orice tip de memorie de calculator care. Z-RAM (Zero-condensator RAM) este tip de memorie DRAM dezvoltat de compania Innovative Silicon.

Similarități între Memorie cu acces aleator și Z-RAM

Memorie cu acces aleator și Z-RAM au 9 lucruri în comun (în Uniunpedie): A-RAM, Memorie DRAM, Personal digital assistant, Semiconductor metal-oxid complementar, Smartphone, SRAM, T-RAM, Tranzistor, TTRAM.

A-RAM

A-RAM (Advanced-Random Access Memory) este un tip de memorie DRAM bazată pe celule cu un singur tranzistor (1T-DRAM).

A-RAM și Memorie cu acces aleator · A-RAM și Z-RAM · Vezi mai mult »

Memorie DRAM

Dynamic random access memory (DRAM) este un tip de memorie cu acces direct care stochează fiecare bit de date într-un condensator separat, într-un circuit integrat.

Memorie DRAM și Memorie cu acces aleator · Memorie DRAM și Z-RAM · Vezi mai mult »

Personal digital assistant

Personal digital assistant Personal digital assistant (prescurtat PDA) sunt calculatoare mici, de ținut în mână, care au fost inițial proiectate să fie agende personale electronice, dar care în decursul timpului au devenit polivalente.

Memorie cu acces aleator și Personal digital assistant · Personal digital assistant și Z-RAM · Vezi mai mult »

Semiconductor metal-oxid complementar

Inversor CMOS static–care leagă de Poartă logică. Semiconductorul metal-oxid complementar sau semiconductorul complementar din metal-oxid (SMOC sau CMOS), cunoscut și sub denumirea de semiconductor oxid-metalic complementar de simetrie (COS-MOS), este un tip de MOSFET (tranzistor de metal-oxid-semiconductor cu efect de câmp–precum tranzistor unipolar), care folosește perechi de natură complementară și simetrică de MOSFET-uri de tip p și n pentru funcții logice.

Memorie cu acces aleator și Semiconductor metal-oxid complementar · Semiconductor metal-oxid complementar și Z-RAM · Vezi mai mult »

Smartphone

Smartphone-uri Samsung Galaxy Un smartphone (cuvânt englez cu traducerea „telefon inteligent”) este un telefon mobil multimedia multifuncțional, conectat la o rețea GSM sau UMTS.

Memorie cu acces aleator și Smartphone · Smartphone și Z-RAM · Vezi mai mult »

SRAM

Un chip SRAM de la ''NES'' 2K X 8 bit. SRAM (acronimul expresiei engleze Static Random Access Memory) este un tip de memorie semiconductoare, unde cuvântul „static” subliniază faptul că, spre deosebire de memoriile DRAM (Dynamic Random Access Memory), nu mai este necesar un ciclu periodic de reîmprospătare (engleză: refresh).

Memorie cu acces aleator și SRAM · SRAM și Z-RAM · Vezi mai mult »

T-RAM

T‐RAM (Thyristor RAM) este un tip de memorie volatilă DRAM inventat și dezvoltat în 2009 de T-RAM Semiconductor Inc.

Memorie cu acces aleator și T-RAM · T-RAM și Z-RAM · Vezi mai mult »

Tranzistor

Diferite tipuri de tranzistoare Tranzistorul este un dispozitiv electronic din categoria semiconductoarelor care are cel puțin trei terminale (borne sau electrozi), care fac legătura la regiuni diferite ale cristalului semiconductor.

Memorie cu acces aleator și Tranzistor · Tranzistor și Z-RAM · Vezi mai mult »

TTRAM

TTRAM (Twin Transistor Random Access Memory) este un nou tip de memorie volatilă dezvoltat de Renesas Technology Corporation în 2005.

Memorie cu acces aleator și TTRAM · TTRAM și Z-RAM · Vezi mai mult »

Lista de mai sus răspunde la următoarele întrebări

Comparație între Memorie cu acces aleator și Z-RAM

Memorie cu acces aleator are 67 de relații, în timp ce Z-RAM are 15. Așa cum au în comun 9, indicele Jaccard este 10.98% = 9 / (67 + 15).

Bibliografie

Acest articol arată relația dintre Memorie cu acces aleator și Z-RAM. Pentru a avea acces la fiecare articol din care a fost extras informația, vă rugăm să vizitați: